制造动态随机存取存储器单元电容器的方法

摘要

本发明提供了制造具有改善的垂直和底部形貌的极柱型电容器的方法。在抗反射涂层上淀积存储节点的导电层。在腐蚀导电层和后续的过腐蚀存储节点图形的步骤中,抗反射涂层使得在存储节点的侧壁上更易形成聚合物集结。所得到的聚合物集结作为腐蚀阻挡层。

主权项

1.在半导体器件中制造电容器的方法，包括步骤：在具有多个杂质扩散区的半导体衬底上形成底层，所述底层具有含有氮的顶层；腐蚀所述底层的选中部分并形成多个通到所述杂质扩散区的开口；在所述开口内和所述底层上淀积上导电层；腐蚀所述上导电层和各个开口间的所述顶层的部分厚度，在所述导电极的各个侧壁上形成腐蚀副产品集结作为腐蚀阻挡层的同时形成多个导电极。