发明名称 | 具有极低吸放气率的极高真空微电离规 | ||
摘要 | 本发明涉及一种具有极低吸放气率的极高真空微电离规,包括玻璃外壳、电子发射体、阳极、离子收集极和偏置电极;电子发射体和离子收集极相对阳极等距、同轴安装于玻璃外壳内,偏置电极为玻璃外壳内的金膜,阳极为圆环通过支撑引线从玻璃外壳一侧的支脚引出;离子收集极为一金属丝。本发明在量测的压强范围灵敏度高,采用冷阴极场致发射电子源,规的总功率降低到0.1瓦左右。 | ||
申请公布号 | CN1240933A | 申请公布日期 | 2000.01.12 |
申请号 | CN99109355.0 | 申请日期 | 1999.06.25 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 陈丕瑾;齐京 |
分类号 | G01L21/30 | 主分类号 | G01L21/30 |
代理机构 | 清华大学专利事务所 | 代理人 | 罗文群 |
主权项 | 1、一种具有极低吸放气率的极高真空微电离规,其特征在于,该电离规包括玻璃外壳、电子发射体、阳极、离子收集极和偏置电极;所述的玻璃外壳的一端与玻璃芯柱熔封,玻璃外壳的侧壁与待测系统或容器相接;所述的电子发射体和离子收集极相对阳极等距、同轴安装于玻璃外壳内;所述的偏置电极为玻璃外壳内的金膜,金膜电极引线伸出玻璃外壳;所述的电子发射体通过两电极引线支撑杆固定于玻璃芯柱上;所述的阳极为圆环通过支撑引线从玻璃外壳一侧的支脚引出;所述的离子收集极为一金属丝,安置于管轴上,其一端从玻璃外壳引出。 | ||
地址 | 100084北京市海淀区清华园 |