发明名称 | 喷墨印头晶片的制造方法 | ||
摘要 | 一种喷墨印头晶片的制造方法,包括:在绝缘层上方形成第一与第二金属层;在第二金属层上方施加第一光致抗蚀剂,以第一金属层的光掩模曝光显影,限定第一光致抗蚀剂的图案;蚀刻第二金属层,去除第一光致抗蚀剂;蚀刻第一金属层,以未蚀刻的第二金属层部分为保护层;在第一与第二金属层上方施加第二光致抗蚀剂,以第二金属层的光掩模曝光显影,限定第二光致抗蚀剂图案;蚀刻第二金属层;以及形成喷墨印头晶片。 | ||
申请公布号 | CN1240714A | 申请公布日期 | 2000.01.12 |
申请号 | CN98115630.4 | 申请日期 | 1998.06.30 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 吴义勇;邱绍玲;赖怡绚;李明玲;徐享桢 |
分类号 | B41J2/16 | 主分类号 | B41J2/16 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种喷墨印头晶片的制造方法,应用于一印头晶片中的一基板上,所述基板上方具有一热阻层、一导电层与一绝缘层,所述方法包括以下步骤:在所述绝缘层上方形成一第一金属层与一第二金属层,其中所述第二金属层形成于所述第一金属层上方;在所述第二金属层上方施加一第一光致抗蚀剂,以所述第一金属层的光掩模曝光显影,限定所述第一光致抗蚀剂的图案;蚀刻所述第二金属层,之后去除所述第一光致抗蚀剂;蚀刻所述第一金属层,并且以未蚀刻的所述第二金属层部分为保护层;在所述第一与所述第二金属层上方施加一第二光致抗蚀剂,并且以所述第二金属层的光掩模曝光显影,限定所述第二光致抗蚀剂图案;蚀刻所述第二金属层;以及形成所述喷墨印头晶片。 | ||
地址 | 台湾省新竹县 |