| 发明名称 |
Method of forming gate electrode with titanium polycide structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB9927341(D0) |
申请公布日期 |
2000.01.12 |
| 申请号 |
GB19990027341 |
申请日期 |
1999.11.18 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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