发明名称 在液晶显示器中形成薄膜晶体管的方法
摘要 利用具有P-沟道薄膜晶体管和N-沟道薄膜晶体管的聚硅型薄膜晶体管液晶显示器中上栅极层与下栅极层之间蚀刻率的不同,可以形成带下凹之下栅极层的双栅极层。通过在N<SUP>+</SUP>离子注入过程中用上栅极层作为离子注入掩膜,可以很容易形成LDD结构。由上栅极层与下栅极层之间扭曲的大小确定LDD的尺寸。可以省去为了掩膜离子注入所需的额外光刻步骤。
申请公布号 CN1241025A 申请公布日期 2000.01.12
申请号 CN99109464.6 申请日期 1999.05.28
申请人 三星电子株式会社 发明人 李柱亨;洪雯杓;尹灿宙;郑柄厚;黄长元
分类号 H01L21/70 主分类号 H01L21/70
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 马莹
主权项 1.一种在液晶显示器中形成薄膜晶体管的方法,包括以下步骤:在玻璃基板上形成硅层;通过对所述硅层构图形成有源区;形成栅极隔离层,覆盖所述有源区;形成上、下栅极层,覆盖所述栅极隔离层;在所述上、下栅极层内形成上栅极图样和具有下凹的下栅极图样,用上栅极图样作为蚀刻掩膜;用上栅极图样作为注入掩膜进行注入;去掉上栅极图样。
地址 韩国京畿道