| 主权项 |
1. 一种研磨量控制系统,包括:可促动中心齿轮及内齿轮至少其中之一转动的双面研磨装置,使得载有工作件的承座转动,此工作件之基片的上表面及下表面分别具有镀膜,此承座并绕中心齿轮旋转,俾藉由旋转中的上磨压板及旋转中的下磨压板压接至该工作件,以研磨该工作件的上表面镀膜层及下表面镀膜层;用于测量经由该双面研磨装置研磨后的上表面镀膜层及下表面镀膜层的厚度之厚度测量装置;以及依据该厚度测量装置量得之上表面镀膜层及下表面镀膜层的厚度来控制该双面研磨装置的上磨压板及下磨压板的转速之控制装置,其中该控制装置包括:上磨压板转速控制单元,用于计算上镀膜层的研磨量,包括由该厚度测量装置量得之该工作件的上表面镀膜层之研磨前的厚度与研磨后的厚度之差额,当上镀膜层研磨量落在设定的研磨量容许范围内时,则输出研磨后的上表面镀膜层之値,当上镀膜层研磨量小于研磨量容许范围时,则提高上磨压板相对于工作件的转速,使得上镀膜层研磨量达到研磨量的容许范围,而当上镀膜层研磨量大于研磨量的容许范围时,则降低上磨压板相对于工作件的转速,使得上镀膜层研磨量落在研磨量容许范围内,下磨压板转速控制单元,用于计算下镀膜层的研磨量,包括由该厚度测量装置量得之该工作件的下表面镀膜层之研磨前的厚度与研磨后的厚度之差额,当下镀膜层研磨量落在设定的研磨量容许范围内时,则输出研磨后的下表面镀膜层之値,当下镀膜层研磨量小于研磨量容许范围时,则提高下磨压板相对于工作件的转速,使得下镀膜层研磨量达到研磨量的容许范围,而当下镀膜层研磨量大于研磨量的容许范围时,则阪低下磨压板相对于工作件的转速,使得下镀膜层研磨量落在研磨量容许范围内;以及两面镀膜层厚度差调整单元,用于控制至少其中一上磨压板及下磨压板的转速,使得工作件的二面的厚度差在下一次研磨时可落在容许的厚度范围内,当由上磨压板转速控制单元所输出的上表面镀膜层的数据与由下磨压板转速控制单元所输出的下表面镀膜层的値之间的差额所表示的厚度差超出预定的容许范围时。2. 如申请专利范围第1项之研磨量控制系统,其中该厚度测量装置系X-射线厚度测量计。3. 如申请专利范围第1项之研磨量控制系统,其中该工作件系在其基片的上表面及下表面分别镀有镍-磷镀膜层的磁碟片。4. 如申请专利范围第3项之研磨量控制系统,其中该研磨量容许范围系设定为1mm至5mm,厚度差容许范围系设定为-0.15mm至+015mm。5. 一种研磨量控制系统,包括:用于研磨工作件的两面的双面研磨装置;用于测量经由该研磨装置研磨后的工作件之重量的称重装置;以及依据该称重装置所量到的重量来控制研磨装置的研磨时间之控制装置,其中该控制装置计算称重装置所量到之工作件于研磨前与研磨后的重量差,当重量差小于设定的容许范围时,则增加研磨装置的研磨时间,使得工作件的重量差在下一次研磨时可落在容许范围内,而当重量差大于设定的容许范围时,则减少研磨装置的研磨时间,使得工作件的重量差在下一次研磨时可落在容许范围内。6. 一种研磨量控制方法,包括:双面研磨步骤,藉由双面研磨装置同时研磨工作件的上表面镀膜层与下表面镀膜层;厚度测量步骤,在双面研磨步骤完成之后,测量工作件的上表面镀膜层与下表面镀膜层的厚度;以及控制步骤,依据厚度测量装置所测得之上表面镀膜层及下表面镀膜层的厚度来调整该双面研磨装置的上磨压板及下磨压板的转速,其中该控制步骤包括:上磨压板转速控制步骤,用于计算上镀膜层的研磨量,包括经由厚度测量步骤量得之该工作件的上表面镀膜层之研磨前与研磨后的厚度之差额,当上镀膜层研磨量落在设定的研磨量容许范围内时,则输出研磨后的上表面镀膜层之値,当上镀膜层研磨量小于研磨量容许范围时,则提高上磨压板相对于工作件的转速,使得上镀膜层研磨量达到研磨量的容许范围,而当上镀膜层研磨量大于研磨量的容许范围时,则降低上磨压板相对于工作件的转速,使得上镀膜层研磨量落在研磨量容许范围内;下磨压板转速控制步骤,用于计算下镀膜层的研磨量,包括经由该厚度测量步骤量得之该工作件的下表面镀膜层之研磨前的厚度与研磨后的厚度之差额,当下镀膜层研磨量落在设定的研磨量容许范围内时,则输出研磨后的下表面镀膜层之値,当下镀膜层研磨量小于研磨量容许范围时,则提高下磨压板相对于工作件的转速,使得下镀膜层研磨量达到研磨量的容许范围,而当下镀膜层研磨量大于研磨量的容许范围时,则降低下磨压板相对于工作件的转速,使得下镀膜层研磨量落在研磨量容许范围内;以及两面镀膜层厚度差调整步骤,用于控制至少其中之一上磨压板及下磨压板的转速,使得工作件的二面的厚度差在下一次研磨时可落在容许之厚度范围内,当由上磨压板转速控制步骤所输出的上表面镀膜层的値与由下磨压板转速控制步骤所输出的下表面镀膜层的値之间的差额所表示的厚度差超出预定的容许厚度范围时。7. 如申请专利范围第6项之研磨量控制方法,其中该厚度调整步骤藉由X-射线厚度测量计来测量上表面镀膜层及下表面镀膜层的厚度。8. 如申请专利范围第6项之研磨量控制方法,其中该双面研磨步骤系用于研磨在其基片的上表面及下表面分别镀有镍-磷镀膜层的磁碟片。9. 如申请专利范围第8项之研磨量控制方法,其中于上磨压板转速控制步骤及下磨压板转速控制步骤中,研磨量的容许范围系设定为1mm至5mm;于两面厚度差调整步骤中,厚度差的容许范围系设定为-0.15mm至+0.15mm。10.一种研磨量控制方法,包括:藉由双面研磨装置研磨工作件的两面之双面研磨步骤;接在双面研磨步骤之后,测量工作件的重量之称重步骤;以及依据称重步骤所量到的重量来控制研磨装置的研磨时间之控制步骤,其中该控制步骤系用于计算该称重步骤所量到之工作件于研磨前与研磨后的重量差,当重量差小于设定的容许范围时,则增加研磨装置的研磨时间,使得工作件的重量差在下一次研磨时可落在容许范围内,而当重量差大于设定的容许范围时,则减少研磨装置的研磨时间,使得工作件的重量差在下一次研磨时可落在容许范围内。 |
