| 主权项 |
1.一种积层晶片元件标记的方法,其步骤包括:(1)提供一生胚片;(2)藉由一通孔生成手段于该生胚片上形成至少一个以上之通孔;(3)藉由一填孔手段于该通孔中填入有色之陶磁材料;(4)将该生胚片置于一多层共烧陶磁(Multilayercofiring ceramics)之最上层,并藉由一成型手段形成一积层晶片元件。2.如申请专利范围第1项所述积层晶片元件标记的方法,其中该生胚片系为由印刷方式或刮刀成型(Tape casting)方式产生者。3.如申请专利范围第1项所述积层晶片元件标记的方法,其中该生胚片为可与内部导体共烧之陶磁者。4.如申请专利范围第1项所述积层晶片元件标记的方法,其中该通孔生成手段系以具有冲针之金属模具或数値控制之单孔冲孔机(Puncher)或雷射钻孔或印刷的方式为之者。5.如申请专利范围第1项所述积层晶片元件标记的方法,其中该填充手段系为印刷方式或以压力挤压的方式者。图式简单说明:第一图至第四图,系为本发明实施例之侧视截面图。 |
