发明名称 具有光反射结构之发光物品
摘要 一种包括基材、设置于基材内或基材上之光反射结构、及设置于光反射结构内或光反射结构上之有机发光装置之发光物品。本发明之发光物品使导波减至最小,因此而提高效率、亮度及解析度。
申请公布号 TW379514 申请公布日期 2000.01.11
申请号 TW086119633 申请日期 1998.03.07
申请人 普林斯顿大学信托会;南加州大学 发明人 史黛芬R.佛瑞斯特;维拉德迷耳布洛唯克;宝萝泊骆丝;迪迷崔Z.嘉部若
分类号 H05B33/14 主分类号 H05B33/14
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种发光物品,其包括:基材;设置于该基材内或该基材上之光反射结构,该光反射结构之特征在于顶端部分及底部部分,其中顶端部分较底部部分窄;以及设置于该光反射结构内或该光反射结构上之有机发光装置;其中该光反射结构将自该有机发光装置发出之光引导向该光反射结构之底部部分。2.根据申请专利范围第1项之发光物品,其中该基材系为透明;以及该光反射结构系设置于该基材上,且光反射结构之底部部分与该基材紧邻,以致由该有机发光装置发出之光经引导向该基材。3.根据申请专利范围第2项之发光物品,其中该光反射结构包括与底部部分相交成锐角之侧壁。4.根据申请专利范围第3项之发光物品,其更包括在该侧壁上之反射器。5.根据申请专利范围第2项之发光物品,其中该光反射结构包括多个侧壁;及各侧壁与底部部分相交成锐角。6.根据申请专利范围第5项之发光物品,其更包括在该多个侧壁之至少一个上之反射器。7.根据申请专利范围第5项之发光物品,其中该光反射结构系为高台结构。8.根据申请专利范围第7项之发光物品,其中:该有机发光装置系设置于该高台结构上;以及该有机发光装置包括:在该高台结构上之阳极:在该阳极上之第一个有机层,其中该第一个有机层系为电洞输送层;在该第一个有机层上之第二个有机层,其中该第二个有机层系为发射及电子输送层;以及在该第二个有机层上之阴极。9.根据申请专利范围第7项之发光物品,其中:该有机发光装置系设置于该高台结构上;以及该有机发光装置包括:在该高台结构上之阳极:在该阳极上之第一个有机层,其中该第一个有机层系为电洞输送层;在该第一个有机层上之第二个有机层,其中该第二个有机层系为发射层;在该第二个有机层上之第三个有机层,其中该第三个有机层系为电子输送层;以及在该第三个有机层上之阴极。10.根据申请专利范围第7项之发光物品,其中该有机发光装置系设置于该高台结构上。11.根据申请专利范围第7项之发光物品,其中该有机发光装置系设置于该高台结构内。12.根据申请专利范围第1项之发光物品,其中:该发光物品系包括多个像元之多色显示,各该像元包括三个该光反射结构,该光反射结构之第一个为蓝光发射器,该光反射结构之第二个为绿光发射器,及该光反射结构之第三个为红光发射器。13.根据申请专利范围第12项之发光物品,其中该有机发光装置发出蓝光。14.根据申请专利范围第13项之发光物品,其中该光反射结构之第二个包括将自该有机发光装置发出之实质上所有的蓝光转变成绿光之绿色低向变频磷光体层。15.根据申请专利范围第13项之发光物品,其中该光反射结构之第三个包括将自该有机发光装置发出之实质上所有的蓝光转变成红光之红色低向变频磷光体层。16.根据申请专利范围第1项之发光物品,其更包括至少一个额外的有机发光装置。17.根据申请专利范围第16项之发光物品,其中该有机发光装置及该至少一个额外的有机发光装置系置成堆叠配置。18.根据申请专利范围第17项之发光物品,其中该有机发光装置及该至少一个额外的有机发光装置系可独立编址。19.根据申请专利范围第2项之发光物品,其中:该光反射结构包括至少三个侧壁;以及该侧壁之其中一个相对于该基材形成锐角,及其余的该侧壁实质上垂直于该基材。20.根据申请专利范围第19项之发光物品,其更包括在该基材上之光反射层,在该光反射层中具有至少一个开口,其中自该有机发光装置发出之光经引导通过该至少一个开口,以经由该基材发光。21.根据申请专利范围第20项之发光物品,其中在该光反射层中具有一个开口,该开口位在相对于该基材形成锐角之该光反射结构之该侧面的正下方。22.根据申请专利范围第21项之发光物品,其中该锐角约为45。23.根据申请专利范围第19项之发光物品,其中该光反射结构包括至少三个侧壁;以及该至少三个侧壁之多个面相对于该基材形成锐角,及该至少三个侧面之任何其余面实质上垂直于该基材。24.根据申请专利范围第23项之发光物品,其中在该光反射层中具有多个开口,各该开口位在该至少三个侧壁相对于该基材形成锐角之各多个侧壁的正下方。25.根据申请专利范围第24项之发光物品,其中经由该多个开口发出之光会聚至共同焦点。26.根据申请专利范围第1项之发光物品,其中该光反射结构之顶端部分与该基材紧邻,以致自该有机发光装置发出之光经引导离开该基材。27.根据申请专利范围第26项之发光物品,其中该光反射结构系在该基材之顶端表面内的凹洞;及该光反射结构之底部部分系与该基材之顶端表面齐平。28.根据申请专利范围第27项之发光物品,其中;该有机发光装置系设置于该凹洞内;以及该有机发光装置包括:在该基材上之阴极;在该阴极上之第一个有机层,其中该第一个有机层系为发射及电子输送层;在该第一个有机层上之第二个有机层,其中该第二个有机层系为电洞输送层;以及在该第二个有机层上之阳极。29.根据申请专利范围第27项之发光物品,其中;该有机发光装置系设置于该凹洞内;以及该有机发光装置包括:在该基材上之阴极;在该阴极上之第一个有机层,其中该第一个有机层系为电子输送层;在该第一个有机层上之第二个有机层,其中该第二个有机层系为发射层;在该第二个有机层上之第三个有机层,其中该第三个有机层系为电洞输送层;以及在该第三个有机层上之阳极。30.根据申请专利范围第26项之发光物品,其更包括在该基材上之至少一个凹洞界定结构。31.根据申请专利范围第30项之发光物品,其中该光反射结构系由该至少一个凹洞界定结构所形成之凹洞。32.根据申请专利范围第27项之发光物品,其中该光反射结构系具有多个侧面之反转高台结构。33.根据申请专利范围第32项之发光物品,其中该光反射结构之顶端部分与该侧面形成约135之角度。图式简单说明:第一图A系根据先前技艺之典型有机双重不均质结构发光装置(OLED)之横剖面图。第一图B系根据先前技艺之典型有机单一不均质结构发光装置(LED)之横剖面图。第一图C系根据先前技艺之已知单层聚合物LED结构之横剖面图。第一图D说明在习知构造之LED结构中之导波的问题。第二图A、第二图B及第二图C系根据本发明之具体实例之利用蓝色有机发光装置(OLED)及红和绿色低向变频磷光体层之整体三色像元之横剖面图。第二图D说明根据本发明具体实例之呈高台像元形态之蓝、绿及红色OLED之堆叠配置。第三图显示本发明之一具体实例的顶视图。第四图A至第四图D说明制造如第二图A所示之本发明之第一个具体实例之方法。第五图A至第五图E说明制造如第二图B所示之本发明之第二个具体实例之方法。第六图A至第六图D说明制造如第二图D所示之本发明之第三个具体实例之方法。第七图A及第七图B分别为本发明之一具体实例的横剖面图及顶视图。第七图C为第七图A所示装置之反转形式的横剖面图。第八图A及第八图B分别为本发明之一具体实例的横剖面图及顶视图。第九图概略说明>c,内部反射的临界角。第十图A-第十图C说明根据本发明可使用之一些OLED的变形。第十一图A-第十一图B分别以图示说明发光装置长度对发光强度及装置效率之影响。
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