| 主权项 |
1.一种树脂封装型半导体装置,系包含有: 具有为了设置半导体元件的元件设置面之元件载 置部、及 被接合在此元件设置部的前述元件设置面之半导 体元件、及 在非接触状态下连续性的围绕前述半导体元件的 周围,且在与前述元件设置面离有间隔的状态下被 配置之框体引线、及 在从前述半导体元件离有间隔的位置对于前述元 件载置部为绝缘而被设置之复数个引线、及 至少含有导电连接前述引线与前述半导体元件的 电极部之导线及导电连接前述引线框架与前述半 导体元件的电极部之导线等之导线群、及 封装前述元件载置部、前述半导体元件、前述引 线的一部分及前述引线之树脂封装部等; 前述复数个引线含有在与前述引线框架不连续的 状态下被配置之第1引线、及在与前述引线框架一 体地连续的状态下被配置之第2引线。2.如申请专 利范围第1项之树脂封装型半导体装置,其中前述 引线框架及前述第2引线系为用作为电源用的引线 。3.如申请专利范围第1或2项之树脂封装型半导体 装置,其中在前述元件载置部的元件设置面,构成 前述第1引线的内部引线先端被延伸设置至平面上 所示为重叠的位置。4.如申请专利范围第3项之树 脂封装型半导体装置,其中构成前述第1引线之内 部引线,系为在对于前述元件载置部的元件设置面 为弹性变形的范围确保能接触的自由端的状态下 依绝缘性的引线支撑部而被支撑,且介由此引线支 撑部接合前述元件载置部与前述引线。5.如申请 专利范围第4项之树脂封装型半导体装置,其中前 述引线支撑部,系为沿着前述元件设置面的周缘全 体而连续性地被形成。6.如申请专利范围第4项之 树脂封装型半导体装置,其中前述引线支撑部,系 为部分性地被形成在前述元件设置面的周缘。7. 如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中前述元件载置部系为以热传导性较高的材质 所形成。8.如申请专利范围第1项之树脂封装型半 导体装置,其中前述元件载置部系为以导电性的材 料所形成。9.如申请专利范围第8项之树脂封装型 半导体装置,其中前述元件载置部系为以铜、铝、 银或是金的单体、或是以这些各金属为主成分的 合金所形成。10.如申请专利范围第1项之树脂封装 型半导体装置,其中前述半导体元件的电极部为接 地可能的第1导电层、及前述第2引线为接地可能 的第2导电层之至少一者,被形成在前述元件设置 面。11.如申请专利范围第10项之树脂封装型半导 体装置,其中前述第1导电层及第2导电层,系为以银 、金、钯(P d)及铝所选择的至少1种金属所构成。 12.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置 ,其中前述第1导电层与前述第2导电层系为离有间 隔而被形成。13.如申请专利范围第10或11项之树脂 封装型半导体装置,其中前述第1导电层与前述第2 导电层系为连续性的被形成。14.如申请专利范围 第10或11项之树脂封装型半导体装置,其中在形成 前述第1导电层及前述第2导电层之领域以外的元 件载置部表面,被形成有绝缘层。15.如申请专利范 围第14项之树脂封装型半导体装置,其中前述绝缘 层系为以氧化处理构成前述元件载置部的金属而 得到的金属氧化膜所形成。16.如申请专利范围第1 项之树脂封装型半导体装置,其中前述元件载置部 ,系为以含有前述元件设置面之大径部及从该大径 部突出之小径部所形成,其断面形状形成为几乎凸 状。17.如申请专利范围第16项之树脂封装型半导 体装置,其中前述元件载置部,系为在其小径部从 树脂封装部露出的状态下被设置。18.如申请专利 范围第16或17项之树脂封装型半导体装置,其中前 述元件载置部的小径部,系为朝其厚度方向具有向 下缩幅形成。19.如申请专利范围第16或17项之树脂 封装型半导体装置,其中前述元件载置部,系为除 了前述小径部的领域在于大径部,朝较厚方向具有 所连通的树脂连通孔。20.如申请专利范围第17项 之树脂封装型半导体装置,其中前述元件载置部, 系为在该所露出的面上具有焊锡。21.如申请专利 范围第1项之树脂封装型半导体装置,其中前述元 件载置部被埋填在树脂封装部内。22.如申请专利 范围第1项之树脂封装型半导体装置,其中前述引 线框架,系为具有在于导线粘着之影像辨识作为标 示功能之辨识用突起或是切口。23.如申请专利范 围第1项之树脂封装型半导体装置,其中前述引线 框架,系为以平面形状几乎是矩形状的圆环所形成 ,在于该圆环的4角落,以支撑条而被支撑。24.如申 请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置,其中 其平面所示的外径,对于前述树脂封装部的平面所 示的半径,为在15~80%的范围内。图式简单说明: 第一图系为模式的表示本创作第1实施例的要部之 平面图。 第二图系为模式的表示沿着第一图的II-II线而剖 断的状态之断面图。 第三图系为扩大第一图所示之断面图。 第四图系为表示内部引线的导线粘着过程之说明 图。 第五图系为表示终了第四图的导线粘着处理的状 态之说明图。 第六图系为模式的表示在于制造第1实施例的半导 体装置所用的引线框体平面图。 第七图系为用以说明第1实施例半导体装置的制造 处理的模造处理之图。 第八图系为模式的表示本创作第2实施例所用半导 体装置的要部之平面图。 第九图系为模式的表示沿着第八图的IX-IX线而剖 断的状态之断面图。 第十图A系为表示接地面的变形例之纵断面图;第 十图B系为其平面图。 第十一图系为模式的表示本创作第3实施例所用半 导体装置的要部之平面图。 第十二图系为模式的表示本创作第4实施例所用半 导体装置的要部之平面图。 第十三图系为模式的表示本创作第5实施例所用半 导体装置的要部之平面图。 第十四图A系为模式的表示本创作第6实施例所用 半导体之纵断面图;第十四图B系为表示扩大第十 四图A所示的元件载置部之图。 第十五图A-第十五图D系为表示第十四图A、第十四 图B所示元件载置部的制造处理之说明图。 第十六图系为模式的表示本创作第7实施例的半导 体装置之纵断面图。 第十七图系为模式的表示本创作第8实施例的半导 体装置之纵断面图。 第十八图系为说明在半导体元件的电极接点进行 导线粘着的顺序之图。 第十九图A~第十九图D系为表示针对树脂封装而适 切的实施例之图。 |
