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<P>Un procédé de fabrication d'une mémoire DRAM incluse, capable d'intégrer ensemble des régions de circuit de mémoire (101) et de circuit logique (102), comprend le dépôt d'une couche d'oxyde de métal réfractaire sur un trou de contact (112) à rapport de forme élevé. Ensuite, par l'application sélective d'un traitement par un plasma d'hydrogène ou d'un traitement par de l'hydrogène chaud, une partie (116b) de l'oxyde de métal réfractaire déposé est transformée d'un matériau non conducteur en un matériau conducteur, tandis que la partie (116a) de l'oxyde de métal réfractaire qui ne subit pas le traitement reste non conductrice. Une couche d'oxyde de métal réfractaire non conductrice (116a) peut donc être utilisée à titre de couche diélectrique pour un condensateur de mémoire DRAM.</P>
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