发明名称 | 甲硅烷氢化物功能树脂上的无电金属沉积 | ||
摘要 | 一种对基体选择性无电金属沉积的方法。该方法包括对基体涂布含有甲硅烷氢化物功能树脂的有图案的涂层,然后将含有一种金属离子的无电电镀溶液涂覆到甲硅烷氢化物功能树脂涂层上,从而在基体上沉积形成有图案的金属膜。本发明工艺在电子工业中特别有用。 | ||
申请公布号 | CN1240237A | 申请公布日期 | 2000.01.05 |
申请号 | CN99110899.X | 申请日期 | 1999.06.10 |
申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | B·哈尼斯 |
分类号 | C23C18/18;C23C18/31 | 主分类号 | C23C18/18 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 孙爱 |
主权项 | 1.在基体表面通过无电金属沉积形成带图案的金属膜的一种方法,其特征在于该方法包括:将含有甲硅烷氢化物功能树脂的带图案的涂层涂覆到基体上,以及将含有金属离子的无电电镀溶液涂在甲硅烷氢化物功能树脂涂层上,从而在基体上沉积形成带图案的金属膜。 | ||
地址 | 美国密执安 |