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Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor mit einem Silizium-Emitter 1, einer Silizium-Germanium-Basis 2 und einem Silizium-Kollektor 3, derart, daß, ausgehend vom Emitter 1, die Basis 2 eine stufenförmig ansteigende Änderung des Ge-Gehalts und/oder eine ebenso stufenförmige, jedoch gegenläufige Änderung der Dotierkonzentration aufweist, wobei die Stufenhöhe energetisch gesehen größer ist, als die Energie der optischen Phononenenergie des Halbleitermaterials. <IMAGE>
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