Dynamic semiconductor memory device and method for the initialisation of a dynamic semiconductor memory

摘要

Die Erfindung betrifft eine dynamische Halbleiter-Speichervorrichtung vom wahlweisen Zugriffstyp (DRAM/SDRAM) mit einer den Einschaltvorgang der Halbleiter-Speichervorrichtung und ihrer Schaltungsbestandteile steuernden Initialisierungsschaltung, welche nach einer nach dem Einschalten der Halbleiter-Speichervorrichtung erfolgten Stabilisierung der Versorgungsspannung ein Versorgungsspannungsstabilsignal (POWERON) liefert. Die Initialisierungsschaltung weist eine Vorausdetektorschaltung (RCV2) auf, die einen vorbestimmten Pegelzustand eines von außen anliegenden Takt-Steuersignales (CKE) zeitlich vor dem Versorgungsspannungsstabilsignal (POWERON) erfasst und als Reaktion hierauf ein erstes Freigabesignal zur Entriegelung der zum ordnungsgemäßen Betrieb der Halbleiter-Speichervorrichtung vorgesehenen Steuerschaltung (6) liefert. <IMAGE>