| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,其特征在于:具有:基片,配置于前述基片之一主面上的闸电极,于前述基片上被覆前述闸电极而予积层的闸绝缘膜,于前述闸绝缘膜上积层的半导体膜,于前述半导体膜上积层的层间绝缘膜,以及贯穿前述层间绝缘膜而与前述半导体膜连接的电极;前述层间绝缘膜系含有氮化矽膜及挟持此氮化矽膜之第1及第2氧化矽膜。2.一种薄膜电晶体,其特征在于:具有:基片,配置于前述基片之一主面上积层的半导体膜,于前述半导体膜上积层的闸绝缘膜,于前述闸绝缘膜上与前述半导体膜交叉配置的闸电极,于前述闸绝缘膜上被覆前述闸电极并予积层的层间绝缘膜,以及贯穿前述闸绝缘膜及前述层间绝缘膜而与前述半导体膜连接的电极;前述层间绝缘膜系含有氮化矽膜及挟持此氮化矽膜之第1及第2氧化矽膜。3.一种薄膜电晶体之制造方法,其特征在于:具有:于基片之一主面上形成闸电极之第一步骤,于前述基片被覆前述闸电极并积层闸绝缘膜,于此闸绝缘膜上积层半导体膜之第二步骤,于前述半导体膜上积层层间绝缘膜之第三步骤,贯穿前述层间绝缘膜,形成到达前述半导体膜之接触孔的第四步骤,与通过前述接触孔形成使与前述半导体膜连接的电极之第五步骤;前述第三步骤系于前述半导体膜上依序积层第1氧化矽膜,氮化矽膜及第2氧化矽膜,前述第五步骤系自表面至到达前述半导体膜为止连续的等向的蚀刻前述层间绝缘膜。4.如申请专利范围第3项之薄膜电晶体之制造方法,其中前述第三步骤以后可有前述层间绝缘膜与前述半导体膜同时加热并将前述层间绝缘膜内所含的氢离子导入前述半导体膜内的步骤。5.一种薄膜电晶体之制造方法,其特征在于:具有:基片,于基片之一主面上形成半导体膜之第一步骤,于前述半导体膜上积层闸绝缘膜,于此闸绝缘膜上形成闸电极之第二步骤,于前述闸绝缘膜上被覆前述闸电极并积层层间绝缘膜之第三步骤,贯穿前述闸绝缘膜及前述层间绝缘膜并形成到达前述半导体膜之接触孔的第四步骤,以及通过前述接触孔形成与前述半导体膜连接的电极之第五步骤;前述三步骤系于前述半导体膜上依序积层第1氧化矽膜,氮化矽膜及第2氧化矽膜,前述第四步骤系自表面至到达前述半导体膜为止连续的等向的蚀刻前述层间绝缘膜。6.如申请专利范围第5项之薄膜电晶体之制造方法,其中,前述第三步骤以后可有前述层间绝缘膜与前述半导体膜同时加热并将前述层间绝缘膜内所含的氢离子导入前述半导体内的步骤。图式简单说明:第一图为表示本发明之薄膜电晶体的第1实施形态之截面图。第二图为表示本发明之薄膜电晶体的接触孔之形状之截面图。第三图为表示本发明之薄膜电晶体的第2实施形态之截面图。第四图为表示与第1实施形态有关的制造方法之前半的步骤之步骤别的截面图。第五图为表示与第1实施形态有关的制造方法之后半的步骤之步骤别的截面图。第六图为表示与第2实施形态有关的制造方法之步骤别的截面图。第七图为表示习用的薄膜电晶体之构造的截面图。第八图为表示习用的薄膜电晶体之接触孔的形状之截面图。 |
