| 主权项 |
1.一种双圆筒状电容之制造方法,形成于一基底上;该基底包括至少一元件隔离结构以及一电晶体结构,该电晶体结构包括一闸极以及一源/汲极;该方法包括:形成一绝缘层于该元件隔离结构以及该电晶体结构之上;形成一节点接触窗口于该绝缘层之中,暴露出该电晶体之该源极/汲极区;形成一掺杂多晶矽层于该节点接触窗口之内以及该绝缘层之上;对该掺杂多晶矽层进行一微影回蚀制程,蚀刻掉部份深度,在该节点接触窗口之周围留下俯视呈环形的一突起区域;形成复数个间隙壁的构造于该突起区域之两侧;对未被该些间隙壁保护的该掺杂多晶矽层区域进行蚀刻形成一双圆筒状下电极结构;去除该些间隙壁;形成一介电层于该下电极之上;以及形成一上电极于该介电层之上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层的形成方法,包括化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层的材料包括二氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该间隙壁的形成方法包括低压化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电晶体之该闸极之周缘还包括一间隙壁的构造。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该节点接触窗口的方法包括非等向性蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系由氧化物/氮化物/氧化物所组成的,其形成方法包括:在该下电极表面上自然氧化出一第一氧化矽层;沈积一氮化矽层于该第一氧化矽层之上;用热氧化使该氮化矽层的表面形成一第二氧化矽层。8.一种双圆筒状电容,设在一半导体基底上,而该半导体基底上包括一源/汲极,一闸极,一场氧化层,一绝缘层覆盖住整个该半导体基底的表面,以及一节点接触窗口,穿越该绝缘层与该源/汲极电性相连,包括:一双圆筒状下电极,形成在该节点接触窗口上;一介电质层,形成在该双圆筒状下电极表面上;以及一上电极,形成在该介电质层的表面。9.如申请专利范围第8项所述之电容,其中该双圆筒状下电极包括:一掺杂多晶矽层底座,直接填入该节点接触窗口与该绝缘层之上;一圆筒状外侧壁,在该复晶矽层底座的周缘上;以及一圆筒状内侧壁,在该复晶矽层底座上,该圆筒状外侧壁的内侧不与该圆筒状内侧壁的外侧互相接触。10.如申请专利范围第8项所述之电容,其中该介电层系由氧化物/氮化物/氧化物所组成的,其形成方法为在该下电极表面上自然氧化出一第一氧化矽层;沈积一氮化矽层于该第一氧化矽层之上;用热氧化使该氮化矽层的表面形成一第二氧化矽层。图式简单说明:第一图是动态随机存取记忆体元件的记忆体单元的电路示意图;第二图A至第二图F系绘示习知动态随机存取记忆体圆筒型电容器的制造方法。第三图A至第三图F系绘示依照本发明之形成动态随机存取记忆体双圆筒状电容结构的制造方法结构剖面图。 |
