| 主权项 |
1.一种整合自对准金属矽化物与自对准接触窗的半导体制程,包括下列步骤:(a)在一基底上,以一浅沟渠或场氧化层隔离出第一主动区与第二主动区,其中第一主动区系用来形成逻辑电路,第二主动区系用来形成记忆电路;(b)在该基底上依序形成一闸氧化层、一复晶矽层及一罩幕层;(c)去除第一主动区上之罩幕层;(d)于第二主动区上,定义该罩幕层、该复晶矽层及该闸氧化层,以形成一堆叠的罩幕层/复晶矽闸极结构;(e)于第一主动区上,定义该复晶矽层及该闸氧化层,以形成一闸极结构;(f)于该些闸极结构的侧边形成一侧壁层;(g)于该些闸极结构两侧的基底形成源极/汲极区;(h)形成一遮蔽层,覆盖在第二主动区既有之结构上;(i)以一自对准金属矽化物制程,在第一主动区的复晶矽闸极、及源极/汲极区上形成金属矽化物;(j)形成一绝缘层,覆盖在该基底上;以及(k)利用该罩幕层与该侧壁层为阻绝层,蚀刻该绝缘层,于第二主动区上形成一自对准接触窗,以露出源极/汲极区之一当作接触区。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中步骤(b)该罩幕层的材质为氮化矽,且步骤(f)该侧壁层的材质亦为氮化矽。3.如申请专利范围第2项所述之半导体制程,其中步骤(b)在形成复晶矽层后且罩幕层尚未形成之前,更包括:形成一氧化层,且在步骤(d)中更包括定义该氧化层。4.如申请专利范围第3项所述之半导体制程,其中步骤(c)更包括:去除第一主动区上之氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中步骤(d)更包括:在该闸极结构两侧的基底形成淡掺杂区。6.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中步骤(e)更包括:在该闸极结构两侧的基底形成淡掺杂区。7.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中步骤(h)该遮蔽层的材质为氧化矽。8.如申请专利范围第7项所述之半导体制程,其中步骤(h)包括:形成一氧化矽层,覆盖在基底既有之结构上;以微影与蚀刻技术,去除位于第一主动区之该氧化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中步骤(i)包括:形成一连续的金属层,覆盖在该基底上;进行第一次快速热回火,使该金属层与该基底及复晶矽闸极接触的部份反应,形成金属矽化物;去除该金属层中未反应的部份,而在该第一主动区的闸极、及源极/汲极区留下金属矽化物;以及进行第二次快速热回火,以降低该些金属矽化物的电阻率。10.如申请专利范围第9项所述之半导体制程,其中步骤(i)该金属矽化物为矽化钛(TiSi2)。11.如申请专利范围第10项所述之半导体制程,其中步骤(i)该金属层包括一钛层及一氮化钛层(TiN)。12.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中步骤(j)该绝缘层是以四乙基矽氧烷(TEOS)为原料所沈积的氧化层。13.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中在步骤(k)之后,更包括:在该接触窗及该绝缘层上形成一第一导电层,作为一电容器之储存电极;在该储存电极露出的表面上形成一介电层;以及在该介电层上形成一第二导电层,以构成一相对电极。14.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中在步骤(k)之后,更包括:在该接触窗及该绝缘层上形成一导电层;以及定义该导电层,以形成局部内连线。15.一种整合自对准金属矽化物与自对准接触窗的半导体制程,包括下列步骤:(a)在一基底上,以一浅沟渠或场氧化层隔离出第一主动区与第二主动区,其中该第一主动区系用来形成逻辑电路,该第二主动区系用来形成记忆电路;(b)在该基底上依序形成一闸氧化层、一复晶矽层、一氧化层及一氮化矽层;(c)去除第一主动区上之氮化矽层与氧化层;(d)于第二主动区上,定义该氮化矽层、该氧化层、该复晶矽层及该闸氧化层,以形成一堆叠的氮化矽/氧化矽/复晶矽闸极结构,且在该闸极结构两侧的基底形成淡掺杂区;(e)于第一主动区上,定义该复晶矽层及该闸氧化层,以形成一闸极结构,并在该闸极结构两侧的基底形成淡掺杂区;(f)于该些闸极结构的侧边形成一氮化矽侧壁层;(i)于该些闸极结构两侧的基底形成源极/汲极区;(j)形成一氧化矽层,覆盖在基底既有之结构上;(k)以微影与蚀刻技术,去除位于第一主动区之该氧化矽层;(l)以一自对准金属矽化物制程,在第一主动区的复晶矽闸极、及源极/汲极区上形成金属矽化物;(m)形成一绝缘层,覆盖在该基底上;以及(n)利用该氮化矽层与该氮化矽侧壁层为阻绝层,蚀刻该绝缘层,于第二主动区上形成一自对准接触窗,以露出源极/汲极区之一当作接触区。16.如申请专利范围第15项所述之半导体制程,其中步骤(l)包括:形成一连续的金属层,覆盖在该基底上;进行第一次快速热回火,使该金属层与该矽基底及复晶矽闸极接触的部份反应,形成金属矽化物;去除该金属层中未反应的部份,而在该第一主动区的闸极、及源极/汲极区留下金属矽化物;以及进行第二次快速热回火,以降低该些金属矽化物的电阻率。17.如申请专利范围第16项所述之半导体制程,其中步骤(l)该金属矽化物为矽化钛(TiSi2)。18.如申请专利范围第17项所述之半导体制程,其中步骤(l)该金属层包括一钛层及一氮化钛层(TiN)。19.如申请专利范围第15项所述之半导体制程,其中步骤(m)该绝缘层是以四乙基矽氧烷(TEOS)为原料所沈积的氧化层。20.如申请专利范围第15项所述之半导体制程,其中在步骤(n)之后,更包括:在该接触窗及该绝缘层上形成一第一导电层,作为一电容器之储存电极;在该储存电极露出的表面上形成一介电层;以及在该介电层上形成一第二导电层,以构成一相对电极。21.如申请专利范围第15项所述之半导体制程,其中在步骤(n)之后,更包括:在该接触窗及该绝缘层上形成一导电层;以及定义该导电层,以形成局部内连线。图式简单说明:第一图-第六图绘示依本发明一较佳实施例之制程剖面示意图。 |
