| 主权项 |
1.一种将具有元件区域和周围区域之晶圆平坦化的方法,该方法至少包含:形成第一介电层于该元件区域和周围区域上;蚀刻该第一介电层,使得位于该元件区域上之该第一介电层具有复数个洞穴形成于其中;形成复晶矽层于该复数个洞穴之表面及该第一介电层之上;形成第一光阻至少于该洞穴之中;去除位于该第一介电层上之该复晶矽层;去除该第一光阻,因此形成突出结构位于该元件区域之上且假图案环绕该突出结构之侧;形成第二光阻于该周围区域上之该第一介电层上,用以曝露出该元件区域,该第二光阻至少覆盖部份之该假图案;移除该元件区域上残存该于突出结构之该介电层,于该周围区域上留下剩余部分之该第一介电层;去除该第二光阻;及形成第二介电层于该突出结构和该第一介电层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中更包含了在形成该第二介电层之后将该第二介电层平坦化。3.如申请专利范围第1项之方法,上述之复晶矽层为利用化学机械研磨去除。4.如申请专利范围第1项之方法,上述之复晶矽层为利用蚀刻法去除。5.一种将具有记忆胞区域和记忆胞周围区域之晶圆平坦化的方法,该方法至少包含:形成第一介电层于该记忆胞区域和记忆胞周围区域上;蚀刻该第一介电层,使得位于该记忆胞区域上之该第一介电层具有复数个洞穴形成于其中;形成复晶矽层于该复数个洞穴之表面及该第一介电层之上;形成第一光阻至少于该洞穴之中;去除位于该第一介电层上之该复晶矽层;去除该第一光阻,因此形成底部电极位于该记忆胞区域之上且假图案环绕该底部电极之侧;形成第二光阻于该记忆胞周围区域上之该第一介电层上,用以曝露出该记忆胞区域,该第二光阻至少覆盖部份之该假图案;移除该记忆胞区域上残存该于底部电极之该介电层,于该记忆胞周围区域上留下剩余部分之该第一介电层;去除该第二光阻;形成电容介电层于该底部电极之上;形成顶部电极于该电容介电层之上;及形成第二介电层于该顶部电极和该第一介电层之上。6.如申请专利范围第5项之方法,其中更包含了在形成该第二介电层之后将该第二介电层平坦化。7.如申请专利范围第5项之方法,上述之复晶矽层为利用化学机械研磨去除。8.如申请专利范围第5项之方法,上述之复晶矽层为利用蚀刻法去除。9.一种将具有记忆胞区域和记忆胞周围区域之晶圆平坦化的方法,该方法至少包含:形成第一介电层于该记忆胞区域和记忆胞周围区域上;蚀刻该第一介电层,使得位于该记忆胞区域上之该第一介电层具有复数个洞穴形成于其中;形成复晶矽层于该复数个洞穴之表面及该第一介电层之上;形成第一光阻至少于该洞穴之中;去除位于该第一介电层上之该复晶矽层;去除该第一光阻,因此形成王冠型底部电极位于该记忆胞区域之上且假图案环绕该底部电极之侧;形成第二光阻于该记忆胞周围区域上之该第一介电层上,用以曝露出该记忆胞区域,该第二光阻至少覆盖部份之该假图案;移除该记忆胞区域上残存该于王冠型底部电极之该介电层,于该记忆胞周围区域上留下剩余部分之该第一介电层;去除该第二光阻;形成电容介电层于该王冠型底部电极之上;形成顶部电极于该电容介电层之上;及形成第二介电层于该顶部电极和该第一介电层之上。10.如申请专利范围第9项之方法,其中更包含了在形成该第二介电层之后将该第二介电层平坦化。11.如申请专利范围第9项之方法,上述之复晶矽层为利用化学机械研磨去除。12.如申请专利范围第9项之方法,上述之复晶矽层为利用蚀刻法去除。13.一种制作半导体元件之布局,该布局至少包含:一元件阵列,形成于元件区上之介电质中;及一假图案,形成于边界区与该元件区之间,并形成于该介电质中,俾使光阻填入该假图案中及将该光阻覆盖于该周围区域上以利平坦化。14.如申请专利范围第13项之布局,上述之元件阵列为王冠型阵列。15.如申请专利范围第13项之布局,上述之假图案为一环状沟渠。图式简单说明:第一图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明形成氧化层之步骤;第二图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明蚀刻氧化层之步骤;第三图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明在氧化层上形成复晶矽层之步骤;第四图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明形成第一光阻与研磨晶圆之步骤;第五图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明在晶圆上去除第一光阻之步骤。第六图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明形成第二光阻之步骤;第七图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明以第二光阻为罩幕,蚀刻氧化层之步骤;第八图为半导体晶圆之截面图,例举了依照本发明形成第二氧化层之步骤。第九图A与第九图B分别为本发明之图形阵列与假图案之俯视图与截面图。 |
