| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括: 缓冲器区域,具有对于半导体晶片之一边所配置之 复数个缓冲器; 垫区域,具有至少缓冲器数目之垫,且较上述缓冲 器区域配置于上述半导体晶片的外侧; 信号线,分别连接上述垫及上述缓冲器;以及 电源线及接地线,连接上述垫的剩余部份; 其特征在于: 上述电源线与接地线至少其中之一者系藉由上述 信号线及绝缘层而部份重叠。2.一种半导体装置, 包括: 缓冲器区域,具有对于半导体晶片之一边所配置之 复数个缓冲器; 垫区域,具有至少缓冲器数目之垫,且较上述缓冲 器区域配置于上述半导体晶片的外侧,并藉由信号 线而分别与上述缓冲器连接;以及 垫,较上述缓冲器区域配置于上述晶片的内侧,而 与电源线及接地线连接。3.申请专利范围第1或2项 记载之半导体装置,其中信号线由第1信号线及第2 信号线所构成,且藉由其他绝缘体而部份重叠。4. 如申请专利范围第2项记载之半导体装置,其中垫 区域之未与信号线连接之垫系与电源线及接地线 至少其中之一者连接,此其中之一者系与信号线藉 由绝缘体而部份重叠。图式简单说明: 第一图显示根据本发明实施型态1之半导体装置之 晶片结构图。 第二图显示根据本发明实施型态1之半导体装置之 部分扩大图。 第三图显示根据本发明实施型态1之半导体装置断 面图。 第四图显示根据本发明实施型态2之半导体装置之 晶片结构图。 第五图显示根据本发明实施型态2之半导体装置之 部分扩大图。 第六图显示根据本发明实施型态2之半导体装置之 部分说明图。 第七图显示以往之半导体装置之部分说明图。 第八图显示以往之半导体装置之晶片结构图。 第九图显示以往之半导体装置之部分扩大图。 |
