TRANSISTOR SANS EFFET DE CANAL ETROIT ET SON PROCEDE DE FABRICATION EN UTILISANT UN BLINDAGE CONDUCTEUR NOYE DANS L'ISOLATION EN TRANCHEE

摘要

On propose une structure de transistor de cellule DRAM exempte d'effet de canal étroit pour des DRAM à pas d'isolation submicronique comportant un substrat (200) dopé faiblement et présentant une tension de seuil indépendante de la largeur active en utilisant un blindage conducteur (214a) dans une isolation en tranchée peu profonde (STI) (220). La structure de transistor de cellule résultante est hautement immunisée vis-à-vis d'une pénétration de champ E parasite depuis la grille et les jonctions de noeud de stockage voisines via la STI et elle conviendra très bien pour la technologie des DRAM de l'échelle des gigabits. Le blindage conducteur est polarisé à l'aide de la tension négative afin de minimiser l'appauvrissement de paroi latérale dans le substrat.