| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un procédé de dépôt par plasma à la résonance cyclotron électronique de couches de carbone émetteur d'électrons, dans lequel par injection d'une puissance micro-onde dans une chambre à plasma comprenant une zone de résonance cyclotron électronique (9), on produit l'ionisation d'un mélange gazeux sous une pression faible, les ions et les électrons ainsi créés diffusant le long de lignes de champ magnétique (6) jusqu'à un substrat (3), le mélange gazeux comprenant des molécules organiques et des molécules d'hydrogène. Ledit procédé comprend les étapes suivantes : - de chauffage du substrat (3);- de création d'un plasma à partir du mélange gazeux ionisé;- de création d'une différence de potentiel entre le plasma et le substrat;- de diffusion du plasma jusqu'au substrat (3), ledit substrat ayant atteint, par chauffage, une température telle que soit obtenu sur le substrat le dépôt dudit matériau émetteur d'électrons.</P> |
