| 摘要 |
<p>반도체 기억장치는, 승압전압에 도달하기까지는 주기를 짧게 하고, 승압전압에 도달한 후에는 주기를 길게 하도록 구성된 링발진기, 및 이 링발진기로부터 출력된 승압전위에 기초하여, 메모리 셀의 워드선을 승압하는 승압회로를 구비한다. 링발진기는, 메모리 셀의 워드선의 승압전위가 데이터 기록에 필요한 전압에 도달하기까지 복수회의 승압동작을 행하며, 이 복수회의 승압동작을 행하는 동안에는 링발진기의 출력 (ROC) 주기를 짧게 하고, 소정의 승압레벨에 도달한 후에는 링발진기의 출력 (ROC) 주기를 길게함으로써, 링발진기 자체에 흐르는 AC전류량을 감소시킨다.</p> |
