| 摘要 |
<p>높은 에스팩트비를 가진 측벽 콘택에 있어서, 상기 측벽과 콘택을 형성하고 있는 층간 절연막의 최상부층과의 충분한 중첩 마진을 안정되게 확보할 수 있도록 한 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 반도체 기판 상에 형성한 층간 절연막의 소정 위치에 측벽 콘택을 형성할 때, 콘택 홀에 형성하는 측벽의 산화막과는 다른 에칭 선택비를 가진 절연막층을, 상기 층간 절연막의 최상층의 상부에 미리 형성하고, 측벽 콘택의 형성시에 상기 절연막층을 에치백시킴으로써, 상기 최상층을 위한 스토퍼로서 기능시키는 것을 특징으로 한다.</p> |
