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<p>본 발명에 따른 불휘발성 반도체 메모리 제조 방법는, 반도체 기판의 표면 상에 폴리실리콘층과 같은 부동 게이트 재료층 및 실리콘 산화층, 실리콘 질화층 또는 이들의 결합물로 구성된 절연층을 퇴적하는 단계 - 인접한 소자를 분리시키기 위한 다중의 소자 분리층이 상기 기판 상에 형성됨 - ; 및 불휘발성 반도체 메모리의 주변 영역에 퇴적된 층들을 에칭하는 단계를 포함한다. 불휘발성 반도체 메모리는 주변 영역 및 메모리 영역을 포함한다. 상술된 단계들을 통해, 다중의 소자 절연층들은 부분적인 손실 없이 그대로 유지될 수 있다.</p> |
