| 摘要 |
<p>본 발명의 플래시 기억 장치는 필드 산화막 하부에 채널 컷 확산(diffusion) 영역을 포함하며, 상기 채널 컷 확산 영역은 부유 게이트 전극을 형성하는 폴리실리콘 패턴과 인접 부유 게이트 전극을 형성하는 인접 폴리실리콘 패턴 간에 형성된 갭에 상응하여 형성되고, 상기 부유 게이트 전극은 상기 갭을 획정하는 가장자리면에 측벽 패턴을 가지며, 인접 부유 게이트 전극도 역시 반대측에서 상기 갭을 획정하는 가장자리면에 측벽 패턴을 갖는다.</p> |
