| 摘要 |
<p>플레시 기억장치와 같은 반도체 기억장치에 있어서, 질화티탄과 같은 고내열성을 갖는 금속 또는 금속화합물의 배선층은, 저항을 감소시키기 위하여 매입 확산층에 의해 형성된 배선 또는 가선상에 형성된다. 본 발명에 있어서, 상기와 같은 배선막은 포토리토그라피 공정을 사용함이 없이 공정수가 감소된 공정을 사용하여 형성된다. 예를들어, 부유게이트 및 더미게이트를 마스크로서 사용하여 이온주입에 의해 소스 및 드레인 영역의 형성을 위한 매입 확산층을 형성한 이후, 질화티탄이 기판 전체에걸쳐 피복된다. 그후, 산화막 성장 및 에칭-백 공정을 사용하여 부유게이트와 더미게이트 사이의 질화티탄막상에 남은 산화막이 제조된다. 그후, 부유게이트 및 더미게이트상의 질화티탄막은 포토리토그라피 공정을 사용함이 없이 상기의 남은 산화막을 마스크로서 사용하여 제거된다.</p> |
