发明名称 Illumination System Particularly For EUV Lithography
摘要 본 발명은 파장 ≤193 nm 용, 특히 EUV 리소그래피용 조광 시스템에 관한 것이고, 그 조광 시스템은 소정의 면내에 조광 (A) 을 가진 1개 이상의 광원(1), 2차 광원의 생성하기 위한 1개 이상의 디바이스, 래스터 요소(들)로 구성된, 1개 이상의 미러 또는 렌즈를 가진 1개 이상의 미러 또는 렌즈 디바이스; 및 래스터 요소(들)로 구성된, 1개 이상의 미러 또는 렌즈를 가진 상기 미러 또는 렌즈 디바이스와 레티클 면 사이에 배치되어, 조광 장치의 출구 퓨필 내의 상기 2차 광원을 이미징하는 1개 이상의 광학 소자를 구비한다. 조광 시스템은, 상기 1개 이상의 미러 또는 렌즈의 래스터 소자가 상기 광학 소자에 의한 상기 래스터 요소의 이미지가 상기 레티클 면(14, 316, 406) 의 주요부분을 덮고, 개구수와 채움 정도에 의해 정의되는 상기 출구 퓨필이 조광되는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR19990088055(A) 申请公布日期 1999.12.27
申请号 KR19990016095 申请日期 1999.05.04
申请人 null, null 发明人 슐츠요르크;방글러요하네스;슈스터칼-하인츠;딩에르우도
分类号 G03F7/20;G21K1/06;G21K5/00 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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