| 摘要 |
<p>실리콘 기판의 표면에 도달하는 콘택트홀 및 저항을 관통하는 콘택트홀이 동시 에칭에 의해서 층간절연막 상에 형성된다. 그런 후, 하부 Ti 층 및 상부 TiN 층을 층간절연막 상의 배선의 기판층 (배리어층) 으로서 형성하여 콘택트홀을 매립한다. 그런 후, 어닐링 처리는 620 ℃ 의 온도에서 실행된다. 결과적으로, 저항을 관통하는 콘택트홀 내에 매립된 적층막 및 저항이 배선의 측면 상에서 서로 전기적으로 콘택트하게 된다 (사이드콘택트).</p> |
