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<p>커패시터 용량의 바이어스 의존성이 작은 스택 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 트랜지스터와, 이 트랜지스터의 상부에 스택된 커패시터로 이루어진 스택 구조의 메모리 셀을 가진 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 커패시터의 대향 전극 중 하부 전극의 제조가, 층간 절연막(16) 상에 고농도 불순물 도핑된 아몰퍼스 실리콘층을 형성하여, 전극 형상으로 패터닝하는 공정과, 패터닝된 아몰퍼스 실리콘층(20)의 표면에 결정핵을 발생시키고, 이 결정핵을 성장시켜서 패터닝된 아몰퍼스 실리콘층의 상부면과 측면에 실리콘의 결정 입자(30)를 형성하는 공정과, 결정 입자 상부 및 아몰퍼스 실리콘층 상부에 고농도 불순물 도핑된 폴리실리콘막(31)을 형성하는 공정을 포함한다.</p> |
