| 摘要 |
<p>본 발명은 한 실시예에서 폴리싱 슬러리에 있는 덩어리 입자들을 제거하기 위한 방법을 제공한다. 이와 같은 특정한 실시예에서, 본 방법은 설계 입자 크기(design particle size)를 가진 슬러리를 슬러리 소스(slurry source)에서 에너지 소스로 전달하는 단계를 포함한다. 많은 실시예에서, 슬러리는 덩어리진 입자 크기를 가진 덩어리를 형성하는데, 이것은 실질적으로 설계 입자 크기보다 더 크다. 이와 같이 더 큰 크기의 입자는 반도체 웨이퍼 표면이 폴리싱될 때, 반도체 웨이퍼 표면을 손상시키므로, 매우 바람직하지 않다. 본 방법은 덩어리진 입자 크기를 실질적으로 설계 입자 크기로 축소시키기 위하여, 덩어리를 에너지 소스에서 나오는 초음파와 같은 에너지에 쬐는 단계 및 에너지를 에너지 소스에서 슬러리로 전달하는 단계를 더 포함한다.</p> |
