发明名称 SPUTTERING CATHODE BASED ON THE MAGNETRON PRINCIPLE
摘要 <p>마그네트론 원리에 근거한 스퍼터링 캐소드에 있어서, 스퍼터링될 재료의 타깃이 최소한 하나의 구성요소를 포함하고, 타깃의 뒤에 위치된 자기 시스템이 아치형 자력선의 최소한 하나의 자기 폐쇄 터널을 형성하는 상이한 분극작용의 소스를 포함하고 있으며, 여기에서 타깃으로부터 멀리 면하고있는 소스의 극들이 낮은 잔자성 재료로 만들어진 자기 요크를 통하여 서로에 연결되어 있고, 자기장의 소스를 형성하는 몸체는 직각 프리즘, 바람직하게는 직각 평행 육면체이고, 몸체의 베이스 가장자리는 타깃평면에 대해 평행하게 되어 있고, 소스의 자력선은 몸체의 베이스면에 대하여 경사진 각도로 흐르는 상태에 있다.</p>
申请公布号 KR19990088019(A) 申请公布日期 1999.12.27
申请号 KR19990015825 申请日期 1999.05.03
申请人 null, null 发明人 리르미카엘;크렘펠-헤세외르크;아담롤프
分类号 C23C14/35;H01J37/34 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人
主权项
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