发明名称 APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE BY PLASMA AND METHOD THEREOF
摘要 본 발명은 반응기 내부의 온도와 벽면에 대한 반응성 생물의 퇴적상태를 제어하여, 에칭특성에 경시적인 변화를 생기게 하는 일 없이 공정의 재현성·신뢰성을 장기간에 걸쳐 저비용으로 유지할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공한다. 이를 위하여 처리실(l00)내에 설치된 UHF대 안테나(110)로부터 방사되는 전자파와, 처리실(100)의 주위에 설치된 자장 형성수단(101)으로 형성되는 자장과의 상호작용에 의해 처리실내부에 플라즈마를 발생하여 웨이퍼(W)를 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 처리실(100)의 측벽(102)에 재킷(103)이 교환가능하게 유지되고, 측벽내면의 온도를 웨이퍼보다도 충분히 낮은 온도로 일정하게 제어한다. 또 반응기내부에서 바이어스 인가가 가능한 구성부품인 링(116), 시료대 링(132)에 관해서는 그 적어도 일부분에 바이어스가 인가되는 구조를 설치하고, 또한 부품전체의 열용량을 충분히 작게 한다.
申请公布号 KR19990088600(A) 申请公布日期 1999.12.27
申请号 KR19990019188 申请日期 1999.05.27
申请人 null, null 发明人 마스다도시오;다카하시가즈에;스에히로미츠루;가지데츠노리;가나이사부로
分类号 H05H1/46;C23C14/54;C23C16/50;C23F4/00;H01L21/205;H01L21/302;H01L21/3065 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
主权项
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