CAPACITOR STRUCTURE IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

摘要

커패시터 용량막에 의해 상호 분리되어 대향하는 커패시터 하부 전극과 커패시터 상부 전극을 구비하여 DRAM내에 구현된 스택 커패시터에 있어서, 부가 용량막이 커패시터 하부 전극의 예각부를 포함하는 커패시터 하부 전극의 상부 표면 사이에 형성되고, 커패시터 용량막으로 피복된다. 따라서, 전계는 커패시터 하부 전극의 돌출부에 더이상 국소적으로 집중되지 않아 커패시터 하부 전극은 넓은 표면적의 구비가 가능하다.