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<p>반도체 장치의 제조 방법에서, 적층막이 반도체 기판 상에 형성된 절연막 상에 형성된다. 이 적층막은 도전층 및 그 도전층 상에 형성된 절연층으로 이루어진다. 제 1 게이트용 제 1 군의 패턴 및 제 2 군의 패턴을 형성하기 위해 제 1 마스크를 이용하여 적층막에 제 1 에칭 공정을 행한다. 그 후, 패드 폴리실리콘막용 폴리실리콘층이 제 1 에칭 공정 후에 증착된다. 다음으로, 제 2 게이트용 제 3 군의 패턴을 형성하기 위해, 제 2 마스크를 이용하여 제 2 군의 패턴에 제 2 에칭 공정을 행한다.</p> |
