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<p>고속화 또한 효율적으로 치환 가능한 반도체 기억 장치를 제공한다. 본 발명의 반도체 기억 장치에서는, 용장(redundancy) 판정 회로(20)의 용장 판정과 독립적으로, 어드레스 신호를 디코드한 결과에 응답하여 대응하는 노멀 블럭에서의 워드선을 선택 상태로 하는 워드선 활성화 신호 (서브 디코드 신호)를 활성화한다. WL 드라이버(4)는 노멀 블럭에서의 워드선을 선택하는 드라이버 부분과, 용장 블럭에서의 스페어 워드선을 선택하는 드라이버 부분을 구비한다. 용장 판정 회로(20)에서의 용장 판정의 결과, 용장 미사용인 경우, 활성화한 서브 디코드 신호를 비활성화한다. 용장 판정의 결과가 용장 사용인 경우, 활성화한 서브 디코드 신호를 이용하여 대응하는 워드선을 선택 상태로 한다.</p> |
