发明名称 METHOD OF FORMING A CONDUCTING STRUCTURE
摘要 <p>본 발명은 방사의 효과하에 전도성 재료로 변형가능한 2 내지 20 ㎚ 두께의 재료층을 기판에 부가하고, 대전된 미립자의 변조된 빔으로 상기 재료층을 조사하는 단계로 구성되고, 그결과 각각의 조사된 영역상의 재료층은 전도성 성분으로 변형되어 다수의 전도성 구조 엘리먼트 및 기판 재료로 치환되는 비전도성 성분을 기판 상에 형성한다.</p>
申请公布号 KR19990088479(A) 申请公布日期 1999.12.27
申请号 KR19990018462 申请日期 1999.05.21
申请人 그로비치,보리스 아로노비치;릴코프, 블라디미르 바실리에비치;올스한스키, 에브게니 드미트리에비치;시트롬바크, 야로슬라브 이고르에비치;돌기,드미트리 이오시피비치;크레쇼바,에브게니아 아나토리에브나;메이리크호프,에브게니 잘마노비치;아론존,보리스 아로노비치;베리크호프,에브게니 파블로비치;리야잔트세브, 에브게니 페트로비치;프리크호드코,키릴 에브게니에비치;도만토브스키,알렉산드르 그레고리에비치 发明人 그로비치,보리스아로노비치;돌기,드미트리이오시피비치;베리크호프,에브게니파블로비치;크레쇼바,에브게니아아나토리에브나;아론존,보리스아로노비치;메이리크호프,에브게니잘마노비치;리야잔트세브,에브게니페트로비치;릴코프,블라디미르바실리에비치;프리크호드코,키릴에브게니에비치;도만토브스키,알렉산드르그레고리에비치;시트롬바크,야로슬라브이고르에비치;올스한스키,에브게니드미트리에비치
分类号 H01L21/263;H01L21/768 主分类号 H01L21/263
代理机构 代理人
主权项
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