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<p>본 발명은 이중 절연 박막 스택(double insulating film stack)을 마스크로 채용하여 전체 칩에 대한 콘택트 도전체 형상을 규정하고, 게이트 도전체 형상을 규정한 이후에 노출된 도전층 상에 비교적 얇은 손상 방지층을 제공하여, 게이트 도전체에 대한 무경계 콘택트를 확산부에 제공하는 것에 관한 것이다. 일 실시예에서, 기판 상에 절연층을 형성하고, 절연층 상에 도전층을 제공하고, 도전층 상에 제 2 절연층을 제공하고, 제 2 절연층 상에 제 3 절연층을 제공하고, 제 2 및 제 3 절연 층의 기선택된 부분을 제거하고, 제 2 및 제 3 절연층이 제거된 부분 내에 손상 방지층을 제공하고, 제 3 절연층의 기선택된 부분을 제거하고, 손상 방지층을 제거하고, 도전층의 노출된 부분을 제거하고, 제 2 절연층의 노출된 부분을 제거함으로써 무경계 콘택트가 형성된다.</p> |
