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发明名称 METHOD OF EXTRACTING COMPOUND SEMICONDUCTOR FET PARAMETERS AND CIRCUIT SIMULATOR USING THE METHOD
摘要
申请公布号 JPH11354815(A) 申请公布日期 1999.12.24
申请号 JP19980160763 申请日期 1998.06.09
申请人 TOSHIBA CORP 发明人 MORITSUKA MAYUMI
分类号 G01R31/26;G06F17/50;H01L21/66;H01L29/00;H01L29/80;H03F3/16;(IPC1-7):H01L29/80 主分类号 G01R31/26
代理机构 代理人
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