| 发明名称 |
METHOD FOR SELECTIVELY DOPING INTRINSIC COLLECTOR OF VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR HAVING EPITAXIAL BASE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11354537(A) |
申请公布日期 |
1999.12.24 |
| 申请号 |
JP19990156065 |
申请日期 |
1999.06.03 |
| 申请人 |
ST MICROELECTRONICS SA;COMMISS ENERG ATOM |
发明人 |
MARTY MICHEL;CHANTRE ALAIN;SCHARY SCHWARZMANN |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/265;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/165;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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