| 发明名称 | 等离子体蚀刻系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一等离子体体反应器设备(1)，其改善了蚀刻均匀性并提高了刻蚀的产量。通过采用新型的气体输送机构(9a)和绝热的晶片吸盘(42)实现了更好的蚀刻均匀性。真空绝热的吸盘(42)还使得能量消耗低、及产量高。 | ||
| 申请公布号 | CN1239587A | 申请公布日期 | 1999.12.22 |
| 申请号 | CN96194041.7 | 申请日期 | 1996.03.28 |
| 申请人 | 泰格尔公司 | 发明人 | 弗拉蒂米尔·E·莱博维克;马丁·L·朱克 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/30;H01L21/31;H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
| 主权项 | 1.一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括：一个等离子体反应容器，一个用来固定被处理的晶片的夹盘；和一个通过环形连续间隙将气体导入所述的容器的装置。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||