| 发明名称 | 层间介电层平坦化制造方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1239318A | 申请公布日期 | 1999.12.22 |
| 申请号 | CN98116851.5 | 申请日期 | 1998.08.04 |
| 申请人 | 世大积体电路股份有限公司 | 发明人 | 罗吉进;李弘名 |
| 分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种层间介电层平坦化的制造方法，该平坦的介电层形成一基底上，该方法包括：形成一衬底氧化层在该基底之上；形成一硼磷硅玻璃在该衬底氧化层之上；对该硼磷硅玻璃进行平坦化制造工艺；形成一上覆氧化硅层于该硼磷硅玻璃之上；以及形成一氮化硅阻挡层在该上覆氧化硅层之上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||