| 主权项 |
1.一种具有记忆容量之薄膜电晶体构成的矩阵的制造方法,特别是制造液晶显示器者,其特征在以下步骤:-在第一遮罩步骤中将一透明之第一导电层施覆到一基质上并将此层作构造化以当作行线路(12),而该薄膜电晶体矩阵的列线路(13)之间的部分(13.1)当做电晶的闸极接点(15),记忆容量的电极(16)以及当作影像点电极(14);-施覆一种闸极绝缘物以供该薄膜电晶体之用,-施覆一半导体,特别是a:Si-H-施覆一种掺杂成p-型式n型的半导体,当作该薄膜电晶体的流极与源极接点,-在一第二遮罩步骤中将该闸极隔绝物,半导体及流极与源极接点构造化;-在一第三遮罩步骤中,对于该列线路(13)之补充部分(13.2)流极与源极接点(18)的镀金属部分以及记忆容量的盖电极(9)将一第二导电层作施覆及构造化;-利用该构造化之第二导电层做为遮罩利用一道刻蚀程序除去该掺杂之半导体层;-施覆一透明之钝化层。2.一种具有记忆容量之薄膜电晶体构成的矩阵的制造方法,特别是制造液晶显示器者,其特征在以下步骤:-在第一遮罩步骤中将一透明之第一导电层施覆到一基质上并将此层作构造化以当作行线路(12),而该薄膜电晶体矩阵的列线路(13)之间的部分(13.1)当做电晶的闸极接点(15),记忆容量的电极(16)以及当作影像点电极(14);-施覆一种闸极绝缘物以供该薄膜电晶体之用,-施覆一半导体,特别是a:Si-H-施覆一种掺杂成p-型式n型的半导体,当作该薄膜电晶体的流极与源极接点,-在一第二遮罩步骤中将该闸极隔绝物,半导体及流极与源极接构造化;-在一第三遮罩步骤中,对于该列线路的补充部分(33.2)、流极与源极接点的镀金属部(38),记忆容量的盖电极(39)将一透明之第二导电层施覆及构造化并当作影像点电极,-利用该构造化之第二导电层做为遮罩,利用一道刻蚀程序除去该掺杂之半导体层;-施覆一透明之钝化层。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中:该透明导电层由ITO(铟锡氧化物)构成,而该另一导电层由一种金属如钽、钼、铬、铝或其组合而构成。4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中:该闸极隔绝器由SiNx构成,半导体由a-Si:H构成,而该流极,源极接点由n+-a-Si:H构成,其中,这三种材料的层顺序系在一道PECVD程序中析出。5.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中:该闸极隔绝器,该半导体及流极源极接点在一道乾刻蚀程序构造化,形成平坦延伸的边缘。6.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中:将该第二导电层构造化,使得在流极接点、行线路(12)(32)及记忆容量的盖电极(19)(39)之间造成一种导电连接部(20),(21),(40)(41)。图式简单说明:第一图系依第一种制造方法在一第一导电层安装及构造化后,一个具有一薄层电晶体及一记忆容量的液晶萤光幕的二个影像点的上视图,第二图系在一第二制造方法中第一图的影像点上视图,第三图系在第二导电层施覆及构造化后,第一图的影像点的上视图,第四图系依一第二制造方法在一第一导电层施覆后,具有一薄层电晶体及一记忆容量的液晶萤幕的二个影像点的上视图,第五图系在一第二制造方法中依第四图之影像点的上视图,第六图系在一第二导电层施覆及构造化后,依第四图之影像点的上视图。 |
