发明名称 流体控制装置
摘要 在流体控制装置之阀主体内,形成有通到质量流动控制器内的通路入口之主通路;和连接于主通路形成有相对的较长之副通路及相对的较短之副通路,而须要确保高纯度的处理用气体,是使其流通于相对的较长副通路者。
申请公布号 TW377387 申请公布日期 1999.12.21
申请号 TW086106068 申请日期 1997.05.07
申请人 大见忠弘;富士金股份有限公司 发明人 大见忠弘;平尾圭志;皆见幸男;山路道雄;广濑隆清;池田信一
分类号 F15B21/02 主分类号 F15B21/02
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种流体控制装置,其系在阀主体内,形成有可通到调整流体压力或流量调整器内的通路入口或出口之主通路;和连接于主通路形成相对的较长副通路及相对的较短副通路;而其中任一副通路系用为供作确保高纯度流体之流体控制装置中,其特征为:供作需要确保高纯度流体所流通之副通路系为相对的较长副通路者。2.如申请专利范围第1项之流体控制装置,其中具有三个副通路,而最长的副通路是作为流通需要确保高纯度的流体用;同时第二长的副通路是作为流通其次需要确保高纯度的流体用者。3.如申请专利范围第2项之流体控制装置,其中须要确保高纯度的流体系作为半导体制造用之过程气体,同时该其次需要确保高纯度的流体是作为纯化气体者。图式简单说明:第一图:本发明流体控制装置表示第1实施形态之正面图。第二图:表示以往流体控制装置之正面图。第三图:于本发明流体控制装置表示处理用气体纯度化之曲线图。第四图:于以往的流体控制装置表示处理用气体纯度变化之曲线图。第五图:依本发明流体控制装置表示第2实施例之正面图。第六图:以本发明为对象的流体控制装置之使用例表示图。
地址 日本