| 主权项 |
1.一种增加电容结构之表面积之方法,其步骤包括: a)形成一第一复晶矽层于一具氧化层(oxide)之矽基 板之上方; b)定义一接触窗(contact hole)图案,并蚀刻部份该氧 化层与该第一复晶矽层,以形成该接触窗; c)形成一第二复晶矽层于该第一复晶矽层上方与 该接触窗中; d)形成一半球状(rugged)复晶矽层于该第二复晶矽层 上方;其中,该半球状(rugged)复晶矽层所构成之表面 积系供作为电容表面积之用;以及 e)蚀刻部份该半球状(rugged)复晶矽层、该第二复晶 矽层与该第一复晶矽层,以显露该第一复晶矽层之 侧面与该氧化层之部份区域; 其特征在于:藉由以该第一复晶矽层之厚度而所提 高之该半球状(rugged)复晶矽层之表面积以及所显 露出之该第一复晶矽层之侧面,俾可增加电容表面 积。2.如申请专利范围第1项所述之增加电容结构 之表面积之方法,其中于该步骤(a)之前更可包括步 骤: a1)形成该氧化层于该矽基板上方。3.如申请专利 范围第2项所述之增加电容结构之表面积之方法, 其中于该步骤(a1)中之该氧化层系可为一厚度为 3000A之NSG(Nondoped Silicon Glass)层。4.如申请专利范围 第2项所述之增加电容结构之表面积之方法,其中 形成该氧化层之方法系可为化学汽相沈积法( Chemical Vapor Deposition)。5.如申请专利范围第2项所 述之增加电容结构之表面积之方法,其中形成该氧 化层、该第一复晶矽层、该第二复晶矽层或该半 球状(rugged)复晶矽层之方法系可为低压化学汽相 沈积法(Lower Pressure Chemical Vapor Deposition)。6.如申 请专利范围第1项所述之增加电容结构之表面积之 方法,其中于该步骤(a)中形成该第一复晶矽层之厚 度系可为2000A-5000A。7.如申请专利范围第1项所述 之增加电容结构之表面积之方法,其中于该步骤(a) 中该第一复晶矽层系可为一垫层复晶矽层(Pad Poly Layer)。8.如申请专利范围第1项所述之增加电容结 构之表面积之方法,其中于该步骤(b)中形成该接触 窗之方法系以光学微影及蚀刻技术为之。9.如申 请专利范围第1项所述之增加电容结构之表面积之 方法,其中于该步骤(c)中形成该第二复晶矽层之厚 度系可为500A。10.如申请专利范围第1项所述之增 加电容结构之表面积之方法,其中于该步骤(c)中形 成该第二复晶矽层之温度系可为615-635℃。11.如中 请专利范围第1项所述之增加电容结构之表面积之 方法,其中于该步骤(d)中形成该半球状(rugged)复晶 矽层之厚度系可为775A-935A。12.如申请专利范围第1 项所述之增加电容结构之表面积之方法,其中于该 步骤(d)中形成该半球状(rugged)复晶矽层之温度系 为575℃。13.如申请专利范围第1项所述之增加电容 结构之表面积之方法,其中于该步骤(e)中蚀刻部份 该半球状(rugged)复晶矽层、该第二复晶矽层与该 第一复晶矽层之方法系可以光学微影及蚀刻技术 为之。14.如申请专利范围第1项所述之增加电容结 构之表面积之方法,其中于该步骤(e)之后更可包括 下列步骤: e1)形成一介电质层于该半球状(rugged)复晶矽层与 该氧化层之部份区域上方,并蚀刻该介电质层之部 份区域,以显露部份该氧化层; e2)形成一第四复晶矽层于该介电质层与该氧化层 之部份区域上方;以及 e3)蚀刻该第四复晶矽层之部份区域,并显露部份该 氧化层。15.如申请专利范围第14项所述之增加电 容结构之表面积之方法,其中形成该介电质层或该 第四复晶矽层之方法系可为低压化学汽相沈积法( Lower Pressure Chemical Yapor Deposition)。16.如申请专利 范围第14项所述之增加电容结构之表面积之方法, 其中于该步骤(e1)中该介电质层系可为一ONO(oxide-ON -Nitride-ON-oxide)层。17.如申请专利范围第14项所述 之增加电容结构之表面积之方法,其中于该步骤(e1 )中形成该介电质层之厚度系可为75A。18.如申请专 利范围第14项所述之增加电容结构之表面积之方 法,其中于该步骤(e2)中形成该第四复晶矽层之厚 度系可为1200A。19.如申请专利范围第14项所述之增 加电容结构之表面积之方法,其中于该步骤(e1)及 该步骤(e3)中蚀刻该介电质层及该第四复晶矽层之 方法系可以光学微影及蚀刻技术为之。图式简单 说明: 第一图(a)-(e):其系为习知形成电容结构之表面积 之方法流程示意图; 第二图(a)-(f):其系为本案之一较佳实施例之方法 流程示意图。 |
