| 主权项 |
1.一种包含一基材,且在其表面上依序具有一光学 纪录层及一光线反射层的可纪录元件,其改良物包 括: (a)一含有TeaGebCcHdOe的光学纪录层,其中a,b,c,d及e为 原子百分率,故而a+b+c+d+e=100,且其中10<a<40,10<b<60,5<c <35,10<d<35,e≧0; (b)一具有一或多个可为不同组成之底层的光学纪 录层;且 (c)该光学纪录层之厚度t为0.7Tmin<t<1.3Tmin。2.根据 申请专利范围第1项的纪录元件,其中有二或多个 底层在该纪录层中,每一底层包含选自于由锗、碲 及碳、氢所组成之物群的元素。3.根据申请专利 范围第1项的纪录元件,其中该具有不同组成的两 个底层之选择系使它们之中的每一个皆具有不同 的热及光学性质。4.根据申请专利范围第1项的纪 录元件,其中该邻近基材的底层相较于邻近反射层 的底层而言具有一较低之碳氢化合物含量。5.根 据申请专利范围第1项的纪录元件,其中该基材为 聚碳酸酯或聚丙烯酸酯。6.根据申请专利范围第1 项的纪录元件,其中该反射层包含选自于由金、银 、铜、铝及其合金所组成之物群的元素。7.根据 申请专利范围第1项的纪录元件,其中该纪录元件 系利用加热处理以改变其纪录性质的方式来进行 改良。8.一种包含一基材,且在其表面上依序具有 一纪录层及一光线反射层的可纪录元件,其改良物 包括: (a)一含有TeaGebCcHdOe的光学纪录层,其中a,b,c,d及e为 原子百分率,故而a+b+c+d+e=100,且其中10<a<40,10<b<60,5<c <35,10<d<35,e≧0;该纪录层具有一随其厚度而徐徐变 化的物质组成;且 (b)该光学纪录层之厚度t为0.7Tmin<t<1.3Tmin。9.根据 申请专利范围第8项的纪录元件,其中该邻近基材 的薄膜部份相较于邻近反射层的部份而言具有一 较低之碳氢化合物含量。10.根据申请专利范围第8 项的纪录元件,其中该基材为聚碳酸酯或聚丙烯酸 酯。11.根据申请专利范围第8项的纪录元件,其中 该反射层包含选自于由金、银、铜、铝及其合金 所组成之物群的元素。12.根据申请专利范围第8项 的纪录元件,其中该纪录元件系利用加热处理以改 变其纪录性质的方式来进行改良。13.一种用来制 造一种包含一基材,且在其表面上依序具有一光学 纪录层及一光线反射层之可纪录元件的方法,该方 法包括下列步骤: (a)利用飞沫溅涂法提供一含有TeaGebCcHdOe的光学纪 录层,其中a,b,c,d及e为原子百分率,故而a+b+c+d+e=100, 且其中10<a<40,10<b<60,5<c<35,15<(c+d)<65,e≧0;以及 (b)调整该光学纪录层之厚度t使其介于0.7Tmin<t<1.3 Tmin的范围内。14.根据申请专利范围第13项之方法, 其中有二或多个底层在该光学纪录层中,每一底层 包含选自于由锗、碲及碳、氢所组成之物群的元 素。15.根据申请专利范围第13项之方法,其中该邻 近基材的底层相较于邻近反射层的底层而言具有 一较低之碳氢化合物含量。16.根据申请专利范围 第13项之方法,其中该基材为聚碳酸酯或聚丙烯酸 酯。17.根据申请专利范围第13项之方法,其中该反 射层包含选自于由金、银、铜、铝及其合金所组 成之物群的元素。18.根据申请专利范围第13项之 方法,其中该纪录元件系利用加热处理以改变其纪 录性质的方式来进行改良。图式简单说明: 第一图及第二图同于已核发之72644号专利案-但不 妨碍其做为参早文献。 第一图为元件之反射度对由光线干涉效应所产生 之光学纪录层厚度的代表性作图; 第二图为根据本发明之元件的横断面示意图; 第三图a为称做Rtop之反射度对底层12b之附着时间, 以及Smax对底层12b之附着时间的作图; 第三图b为Rtop对如第三图a所示之纪录时的作图,且 附带WM对底层12b之附着时间的作图; 第三图c为相同于第三图b的作图,除了以非线性度( NL)取代WM作图之外; 第三图d为相同于第三图b的作图,除了以最佳纪录 功率(ORP)取代WM作图之外; 第四图a-第四图d为相对应于第三图a-第三图d的相 同作图,惟具有不同之附着时间; 第五图a-第五图d为相同于第四图a-第四图d的作图, 除了采用不同的附着时间之外;而 第六图a-第六图d为相同于第五图a-第五图d的作图, 除了底层12b的附着时间是固定的而另一方面底层 12a的附着时间则为变化的之外。 |
