发明名称 温度敏感控制电路
摘要
申请公布号 TW019425 申请公布日期 1975.10.01
申请号 TW06310004 申请日期 1974.01.03
申请人 美国无线电授权公司 发明人 ADEL ABDEL AZIZ AHMED
分类号 G05B11/38 主分类号 G05B11/38
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒一温度敏感控制开关包括:一电流控制之开关装置及一温度感知器;其特点为一第一数目之半导体整流器系包括于该温度感知器内并系连接于一第一串联组合内;一第二数目之半导体整流器系包括于该温度感知器内及被连接于一第二串联组合中,该第二数目系大于第一数目;一主要电流源系被连接至该第一及第二串联组合之一并联连接处,及系被配置以供给顺同偏压予第一及第二串联组中之该等半导体整流器,第一串联组合响应于通过其中之主要电流而在其两端所件之电位帅被加至第二串联组合上;及一电晶体系包括于该温度感知器内,此电晶体有一底极射极接面被包括于第二数目之半导体整流器中,及有一集极电极被连接至该电流控制之开关装置者。2﹒根据上述请求专利部份第1项之一温度敏感控制开关,其特点为一辅助电流源用以供给一偏差电流(OffsetCurrent),此电流为主要电流源所供给电流之一部份,该偏差电流系被耦合至该电晶体集极电极以使在低于临限数値之温度下低制该控制电流者。3﹒根据上述请求专利部份各项中任一项之一温度敏感控制开关,其特点为一另外之半导特整流器系被并聊于电晶体之低极射接接面者。4﹒根据上述请求专利部份各项中任一项之一温度数感控制开关,其特点为该等半导体整流器中至少一个为一电晶体之集极至射极路径,此电晶体系使其底极电极连接至射极电路者。5﹒根据上述请求专利部份各项中任一项之一温度敏感控制开关,其特点为该主要留流源包含一直流电位源;一电阻性元件;及一辅助电晶体,此辅助电晶体有一底极电极被连接至直流电位源,一射极电极经由电阻性元件被直流导电方式耦合至该站联组合,及于集极电极用以接受操作电流者6﹒根据上述请求专利部份第5项之一温度敏感控制开关,其特无为一电流放大器,此放大器具有一轮入柔一轮出接头分别被连接至该辅助电晶体及该第一电晶体之集极电极。7﹒根据上述请求专利部份各项中任一项之一温度敏感控制开开,其特点为一辅助电流源,此电流源系被连接至该电流控制之开开装置以在其较低数値范围上低制该控制电流者。
地址 美国新泽西州普林斯顿巿