DETECTEUR D'IMAGES CMOS, PHOTODIODE POUR UN DETECTEUR DE CE TYPE, ET PROCEDE POUR LA FABRICATION DE CE DETECTEUR ET DE CETTE PHOTODIODE

摘要

L'invention concerne une photodiode utilisée dans un détecteur d'images CMOS, comprenant : - une couche semi-conductrice (602) d'un premier type de conduction, divisée par une couche isolante (607) en une zone de champs d'une zone active; - une première zone d'impuretés (603) d'un second type de conduction formée à l'intérieur de la couche semi-conductrice (602); et- une seconde zone d'impuretés (604) du premier type de conduction formée au-dessous d'une surface de la couche semi-conductrice (602) et sur la première zone d'impuretés (603). L'invention concerne également un procédé de fabrication de cette photodiode.