发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor mit leichtdotierten Source- und Drainschichten
摘要
申请公布号 DE69421607(D1) 申请公布日期 1999.12.16
申请号 DE19946021607 申请日期 1994.05.26
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK 发明人 BRADY, FREDERICK T.;BREITEN, CHARLES P.;HADDAD, NADIM F.;HOUSTON, WILLIAM G.;SPENCER, OLIVER S.;WRIGHT, STEVEN J.
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/823 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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