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<p>Die Erfindung betrifft einen Speicherkondensator für einen DRAM, mit einem aus Siliziumnitrid bestehenden Dielektrikum und mit wenigstens zwei, über das Dielektrikum einander gegenüberliegenden Elektroden. Für die Elektroden wird ein Material mit hoher Tunnelbarriere (φ β) zwischen Fermi-Niveau (F) des Materials und Leitungsband (L) des Dielektrikums verwendet. Geeignete Materialien sind hierfür Metalle wie Platin, Wolfram und Iridium oder Silizide.</p> |
