发明名称 TRANSISTOR DEVICE WITH INCREASED BREAKDOWN VOLTAGE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR100234550(B1) 申请公布日期 1999.12.15
申请号 KR19910004979 申请日期 1991.03.29
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 JEROME, RICK C.;MCFARLANE, BRIAN;MARAZITA, FRANK
分类号 H01L27/06;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/112;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/735;(IPC1-7):H01L29/70 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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