发明名称 半导体光电探测器及其制造方法
摘要 一种半导体光电探测器,因为与入射光高度耦合而具有高的量子效率,并且因为减小了PN结的面积而工作在较高频率下。在本发明的半导体光电探测器中,反射层被淀积在一个方形的波导的一对平行的表面上,而光吸收层则淀积在至少另一对平行的表面上,这对表面是其余表面中的平行表面对之一。
申请公布号 CN1238566A 申请公布日期 1999.12.15
申请号 CN99102999.2 申请日期 1999.02.19
申请人 日本电气株式会社 发明人 杉山光弘
分类号 H01L31/00 主分类号 H01L31/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 李亚非
主权项 1.一种半导体光电探测器,它包括一个方形的光波导,其中:反射层被淀积在所述的方形波导的一对平行的表面上;并且吸收层被淀积在所述的方形波导的至少另外一对平行的表面上。
地址 日本东京都