发明名称 | 半导体光电探测器及其制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体光电探测器,因为与入射光高度耦合而具有高的量子效率,并且因为减小了PN结的面积而工作在较高频率下。在本发明的半导体光电探测器中,反射层被淀积在一个方形的波导的一对平行的表面上,而光吸收层则淀积在至少另一对平行的表面上,这对表面是其余表面中的平行表面对之一。 | ||
申请公布号 | CN1238566A | 申请公布日期 | 1999.12.15 |
申请号 | CN99102999.2 | 申请日期 | 1999.02.19 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 杉山光弘 |
分类号 | H01L31/00 | 主分类号 | H01L31/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非 |
主权项 | 1.一种半导体光电探测器,它包括一个方形的光波导,其中:反射层被淀积在所述的方形波导的一对平行的表面上;并且吸收层被淀积在所述的方形波导的至少另外一对平行的表面上。 | ||
地址 | 日本东京都 |